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RB520ZS8A30

更新时间： 2024-02-29 12:46:18

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB520ZS8A30 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB520ZS8A30

lLand size figure (Unit : mm)

lApplications

lDimensions (Unit : mm)

Rectifying small power

0.4

lFeatures

A D

1) Ultra small mold type (HMD8)

2) Halogen Free

0.25

HMD8

ROHM : HMD8

lStructure

JEDEC : -

JEITA : -

dot

lConstruction

(year week factory)

Silicon epitaxial planer

lTaping dimensions (Unit : mm)

lAbsolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_R

Unit

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz･1cyc.) (*2)

Junction temperature

100

C

500

IFSM

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

400

C

mW/Total

Power dissipation

(*1)(*2)Rating of per diode

lElectrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.46

0.3

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=10V

Reverse current

μA

www.rohm.com

2011.11 - Rev.A

1/4

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