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RB520CS-30_09

更新时间： 2024-11-18 06:07:11

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	409K
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Schottky barrier diode

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RB520CS-30_09 数据手册

Schottky barrier diode

RB520CS-30

zApplications

z Dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.55

zFeatures

1) Ultra Small power mold type. (VMN2)

2) Low I_R

VMN2

3)High reliability.

zConstruction

zStructure

Silicon epitaxial planar

zTaping specifications (Unit : mm)

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage (DC)

Average rectiied forward current

Forward current surge peak （60Hz/1cyc）

Junction temperature

100

°C

500

I_FSM

150

Storage temperature

-40 to +150

Tstg

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

I_F=10mA

V_R=10V

Symbol

Min.

Typ. Max.

Unit

Forward voltage

Reverse current

V_F

I_R

0.45

0.5

µA

www.rohm.com

2009.12 - Rev.D

1/3

12 3 4

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