RB520CS-30T2RA

更新时间： 2024-09-21 13:12:55

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	400K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, VMN2, 2 PIN

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RB520CS-30T2RA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	7.87	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	30 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

RB520CS-30T2RA 数据手册

Data Sheet

Schottky barrier diode

RB520CS-30

Applications

 Dimensions (Unit : mm)

 Land size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.55

Features

1) Ultra Small power mold type. (VMN2)

2) Low I_R

VMN2

3)High reliability.

Construction

Structure

Silicon epitaxial planar

Taping specifications (Unit : mm)

Absolute maximum ratings (Ta25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage (DC)

Average rectiied forward current

Forward current surge peak （60Hz/1cyc）

Junction temperature

100

C

500

I_FSM

150

Storage temperature

40 to 150

Tstg

C

Electrical characteristics (Ta25C)

Parameter

Conditions

I_F=10mA

V_R=10V

Symbol

Min.

Typ. Max.

Unit

Forward voltage

Reverse current

V_F

I_R

0.45

0.5

A

www.rohm.com

2011.05 - Rev.D

1/3

12 3 4

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