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RB520S30

更新时间： 2023-09-03 20:28:03

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安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	240K
描述
200 mA low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction

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RB520S30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.63	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB520S30 数据手册

RB520S30

200 mA low VF MEGA Schottky barrier rectifier

7 April 2021

Product data sheet

1. General description

Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated

guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD523 (SC-79) ultra small and flat lead

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Average forward current: I_F(AV)≤ 0.2 A

•

Reverse voltage: V_R≤ 30 V

Low reverse current: I_R≤ 1 uA

AEC-Q101 qualified

Ultra small and flat lead SMD plastic package

3. Applications

•

Low current rectification

High efficiency DC-to-DC conversion

Switch Mode Power Supply (SMPS)

Reverse polarity protection

Low power consumption applications

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_F(AV)

average forward

current

δ = 0.5; f = 20 kHz; square wave; T_amb≤ [1]

105 °C

200

δ = 0.5; f = 20 kHz; square wave; T_sp

135 °C

≤

200

I_R

reverse current

reverse voltage

forward voltage

V_R= 10 V; T_j= 25 °C

T_j= 25 °C

µA

V_R

V_F

600

I_F= 200 mA; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

pulsed; T_j= 25 °C

520

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm².

12 3 4 5 6 7...12

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