RB520G-30T2R

更新时间： 2024-02-18 20:13:49

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管光电二极管
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Schottky barrier diode

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RB520G-30T2R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	7.91
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.45 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RB520G-30T2R 数据手册

RB520G-30

Diodes

Schottky barrier diode

RB520G-30

zApplications

z Dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.13±0.03

0.5

0.6±0.05

zFeatures

1) Ultra Small mold type. (VMD2)

2) Low I_R.

3) High reliability.

VMD2

zStructure

0.27±0.03

0.5±0.05

zConstruction

Silicon epitaxial planar

ROHM : VMD2

dot (year week factory)

z Taping specifications (Unit : mm)

0.18±0.05

φ1.5+0.1

2±0.05

4±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

φ0.5

0.3

0.65±0.05

4±0.1

2±0.05

0.76±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage(DC)

Average rectified forward current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

100

500

125

I_FSM

℃

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

℃

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.45

0.5

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=10V

µA

Rev.C

1/3

12 3 4

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