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RB520S-30

更新时间: 2024-11-18 06:07:11
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罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 119K
描述
Schottky barrier diode

RB520S-30 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SC-79
包装说明:R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.24
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.6 VJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:0.5 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:35 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB520S-30 数据手册

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RB520S-30  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB520S-30  
zApplications  
z Dimensions (Unit : mm)  
z Land size figure (Unit : mm)  
Low current rectification  
0.8  
0.8±0.05  
0.12±0.05  
zFeatures  
1) Ultra Small mold type. (EMD2)  
2) Low IR.  
3) High reliability.  
EMD2  
zStructure  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
0.3±0.05  
0.6±0.1  
ROHM : EMD2  
JEDEC :SOD-523  
JEITA : SC-79  
dot (year week factory)  
z Taping specifications (Unit : mm)  
0.2±0.05  
φ1.5±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.2  
φ0.5  
4.0±0.1  
2.0±0.05  
0.95±0.06  
0
Empty pocket  
0.76±0.05  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VR  
Unit  
V
mA  
A
Reverse voltage (DC)  
30  
200  
1
Average rectified forward current  
Forward current surge peak 60Hz1cyc)  
Junction temperature  
Io  
IFSM  
Tj  
125  
Storage temperature  
-40 to +125  
Tstg  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Reverse current  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.6  
Unit  
V
VF  
IR  
IF=200mA  
VR=10V  
-
-
-
-
1
µA  
Rev.C  
1/3  

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