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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> RB520S30T1G
RB520S30T1G PDF预览

RB520S30T1G

更新时间： 2024-11-18 03:37:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管肖特基二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB520S30T1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.72Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：227029
Samacsys Pin Count：2Samacsys Part Category：Diode
Samacsys Package Category：Small Outline Diode Flat LeadSamacsys Footprint Name：SOD-523 CASE 502
Samacsys Released Date：2016-03-15 13:50:33Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

RB520S30T1G 数据手册

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RB520S30T1  
Schottky Barrier Diode  
These Schottky barrier diodes are designed for high−speed  
switching applications, circuit protection, and voltage clamping.  
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature  
surface mount package is excellent for hand−held and portable  
applications where space is limited.  
http://onsemi.com  
Features  
• Extremely Fast Switching Speed  
30 VOLT SCHOTTKY  
BARRIER DIODE  
• Extremely Low Forward Voltage 0.6 V (max) @ I = 200 mA  
F
• Low Reverse Current  
• ESD Rating: Class 3B per Human Body Model  
Class C per Machine Model  
1
CATHODE  
2
ANODE  
• These are Pb−Free Devices  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
Reverse Voltage  
Forward Current DC  
V
30  
Vdc  
R
1
I
200  
mA  
F
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
SOD−523  
CASE 502  
PLASTIC  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
200  
mW  
D
(Note 1) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.57  
635  
mW/°C  
°C/W  
°C  
5J MG  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
ꢀ
JA  
G
1
2
Junction and Storage Temperature Range T , T  
−55 to +150  
J
stg  
1. FR−5 Minimum Pad.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
5J = Device Code  
A
M
= Date Code*  
Characteristic  
Symbol Min Typ Max Unit  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Reverse Leakage  
I
−
−
1.0  
ꢁ
A
R
*Date Code orientation position may vary depending  
upon manufacturing location.  
(V = 10 V)  
R
Forward Voltage  
V
−
−
0.60 Vdc  
F
(I = 200 mA)  
F
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
RB520S30T1  
SOD−523* 3000/Tape & Reel  
SOD−523* 3000/Tape & Reel  
RB520S30T1G  
*This package is inherently Pb−Free.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
December, 2005 − Rev. 7  
RB520S30T1/D  
 
123

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RB520S30T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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RB520S30T5G ONSEMI

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