WILLSEMI (韦尔) 更新时间:2025-04-29 20:55:02
上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司,公司成立于2007年5月,总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区,在深圳、台湾、香港等地设立办事处。公司主营产品包括保护器件 (TVS、TSS)、功率器件 (MOSFET、Schottky Diode、Transistor)、电源管理器件 (Charger、LDO、Buck、Boost、Backlight LED Driver、Flash LED Driver)、模拟开关等四条产品线,700多个产品型号,产品在手机、电脑、电视、通讯、安防、车载、穿戴、医疗等领域得到广泛应用,公司业绩连续多年保持稳定增长。 公司拥有成熟的技术支持团队 和完善的供应链管理体系。与全球主要半导体供应商紧密合作,为国内 OEM 厂商、ODM 厂商和EMS厂商及终端客户提供针对客户需求的新产品推介、快速样品、应用咨询、方案设计支持、开发环境、售后及物流等方面的半导体产品综合解决方案。 公司自行研发设计的半导体产品(分立器件及电源管理 IC 等)已进 入小米、金立、维沃(步步高)、酷派、魅族、华为、联想、摩托罗拉、 三星、海信、中兴等国内知名手机品牌的供应链。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
WPM2081-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:P沟道;元器件封装:SOT-23; | ||
WPM2019-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:P沟道;元器件封装:SOT-523; | ||
WPM2083-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:P沟道;元器件封装:SOT-23; | ||
WNM7002-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:SOT-23; | ||
WNM6001-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:SOT-23; | ||
WPM2087-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:P沟道;元器件封装:SOT-23; | ||
WNT2F04-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SOT-23; | ||
WNM01N10-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SOT-23; | ||
WPT2F06-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SOT-23; | ||
WNMD2166-6/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:2个N沟道;元器件封装:SOT23-6L; | ||
WPM3022-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SOT-23; | ||
WPT2F42-6/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SOT-23-6; | ||
WNM6002-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:SOT-323; | ||
WCM2079-8/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:1个N沟道和1个P沟道;元器件封装:8-SOIC; | ||
WPM3021-8/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:P沟道;元器件封装:8-SOIC; | ||
WPM3020-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:P沟道;元器件封装:SOT-23; | ||
WSB5507W-2/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):40V;平均整流电流(Io):500mA;正向压降(Vf):550m | ||
WSB5522F-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@1 | ||
WNMD2176-6/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:2个N沟道;元器件封装:SOT23-6L; | ||
WNM2016A-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SOT-23-3; | ||
WNM4002-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:SOT-523; | ||
WNM3013-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:N沟道;元器件封装:SOT-723; | ||
WPM2031-3/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
类型:P沟道;元器件封装:SOT-723; | ||
RB521C30-2/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):30V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):470m | ||
WSB5546N-2/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):40V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):600m | ||
ESD9N5V-2/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压VRWM(V):5V (最大值);最小反向击穿电压VBR(V):6V;最大钳位 | ||
ESDA6V1W5-5/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
脉冲 | 反向峰值电压VRWM(V):5V -;最小反向击穿电压VBR(V):6.2V;最大钳位电压 | |
ESD5Z7V-2/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压VRWM(V):7V (最大值);最小反向击穿电压VBR(V):7.5V;最大 | ||
ESD5Z5VL-2/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压VRWM(V):5V (最大值);最小反向击穿电压VBR(V):7V;最大钳位 | ||
ESD5651N-2/TR | WILLSEMI | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压VRWM(V):4.5V (最大值);最大钳位电压Vc(V):15V -; |
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