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RB520S-30_1

更新时间： 2024-11-18 06:07:11

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	119K
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Schottky barrier diode

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RB520S-30_1 数据手册

RB520S-30

Diodes

Schottky barrier diode

RB520S-30

zApplications

z Dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.8

0.8±0.05

0.12±0.05

zFeatures

1) Ultra Small mold type. (EMD2)

2) Low I_R.

3) High reliability.

EMD2

zStructure

zConstruction

Silicon epitaxial planar

0.3±0.05

0.6±0.1

ROHM : EMD2

JEDEC :SOD-523

JEITA : SC-79

dot (year week factory)

z Taping specifications (Unit : mm)

0.2±0.05

φ1.5±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

0.2

φ0.5

4.0±0.1

2.0±0.05

0.95±0.06

空ポケット

Empty pocket

0.76±0.05

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage (DC)

200

Average rectified forward current

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

I_FSM

125

℃

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

℃

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.6

Unit

V_F

I_R

I_F=200mA

V_R=10V

µA

Rev.C

1/3

12 3 4

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