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RB520S-30_11

更新时间： 2024-09-23 09:37:55

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	1054K
描述
Schottky barrier diode

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RB520S-30_11 数据手册

Data Sheet

Schottky barrier diode

RB520S-30

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

Low current rectification

0.8

0.8±0.05

0.12±0.05

Features

1) Ultra Small mold type. (EMD2)

2) Low I_R.

3) High reliability.

EMD2

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

0.3±0.05

0.6±0.1

ROHM : EMD2

JEDEC :SOD-523

JEITA : SC-79

dot (year week factory)

Taping specifications(Unit : mm)

0.2±0.05

φ1.5±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.55±0.05

0.2

φ0.5

4.0±0.1

2.0±0.05

0.95±0.06

0.90±0.05

空ポケット

Empty pocket

0.76±0.05

0.75±0.05

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage (DC)

200

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

125

°C

Storage temperature

-40 to +125

Tstg

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.6

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

I_F=200mA

V_R=10V

μA

www.rohm.com

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2011.03 - Rev.D

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