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RB520S-30

更新时间： 2024-01-22 10:56:23
品牌 Logo 应用领域
TSC 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 282K
描述
200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode

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RB520S-30 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：0.89其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

RB520S-30 数据手册

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RB520S-30  
200mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode  
Small Signal Diode  
SOD-523F  
B
C
A
Features  
—Low power loss, high current capability, low VF  
—Surface device type mounting  
D
—Moisture sensitivity level 1  
—Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate  
—Pb free version and RoHS compliant  
E
F
—Green compound (Halogen free) with suffix "G" on  
packing code and prefix "G" on date code  
Unit (mm)  
Unit (inch)  
Min Max  
Mechanical Data  
—Case : SOD-523F small outline plastic package  
Dimensions  
Min  
Max  
A
B
C
D
E
F
0.70 0.90 0.028 0.035  
1.50 1.70 0.059 0.067  
0.25 0.40 0.010 0.016  
1.10 1.30 0.043 0.051  
0.60 0.70 0.024 0.028  
0.10 0.14 0.004 0.006  
—Terminal: Matte tin plated, lead free, solderable  
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
—High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s  
—Polarity : Indicated by cathode band  
—Weight : 1.68±0.5 mg  
—Marking Code: B  
Ordering Information  
Pin Configuration  
Part No. Packaging Code Package  
Packing Marking  
RB520S-30  
RB520S-30  
RK  
SOD-523F 3K / 7" Reel  
SOD-523F 3K / 7" Reel  
B
B
RKG  
Suggested PAD Layout  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Symbol  
PD  
B0520LW  
Units  
mW  
V
Power Dissipation  
200  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
VRRM  
VR  
30  
30  
V
IO  
200  
mA  
A
Mean Forward Current @ TL=100℃ (Lead Temperature)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 1)  
Thermal Resistance (Junction to Ambient)  
Storage Temperature Range  
IFSM  
1
RθJA  
TJ,TSTG  
500  
°C/W  
°C  
-55 to + 125  
Note 1: Test Condition: 8.3ms Single half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)  
Version :A11  
123

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