RB520G-30FH

更新时间： 2024-02-05 01:52:01

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, VMD2, 2 PIN

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RB520G-30FH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB520G-30FH 数据手册

RB520G-30

Diodes

Schottky barrier diode

RB520G-30

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

Rectifying small power.

0.6±0.05

0.27±0.03

zFeatures

0.13±0.03

1) Ultra small mold type. (VMD2)

2) High reliability.

CATHODE MARK

0.5±0.05

zConstruction

Silicon epitaxial planar

ROHM : VMD2

EIAJ : −

JEDEC : −

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

DC reverse voltage

Symbol

Limits

Unit

100

°C

Mean rectifying current

Forward peak surge current (60Hz 1cyc.)

Junction temperature

FSM

500

125

Tstg

−40 to +125

°C

Storage temperature

60Hz, 1

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

Typ.

−

Max.

0.45

0.5

Unit

Conditions

−

=10mA

=10V

−

µA

Please pay attention to static electricity when handling.

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