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RB520CS30L

更新时间： 2024-09-22 11:12:15

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安世 - NEXPERIA		二极管
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14页	1260K
描述
100 mA low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction

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RB520CS30L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
最大功率耗散：	0.315 W	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

RB520CS30L 数据手册

RB520CS30L

100 mA low V_FMEGA Schottky barrier rectifier

Rev. 1 — 10 March 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an

integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD882 leadless ultra small

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

1.2 Features and benefits

Average forward current: I_F(AV)≤ 100 mA

Reverse voltage: V_R≤ 30 V

Low forward voltage: V_F≤ 450 mV

Low reverse current: I_R≤ 0.5 μA

AEC-Q101 qualified

Leadless ultra small SMD plastic package

1.3 Applications

Low current rectification

High efficiency DC-to-DC conversion

Switch Mode Power Supply (SMPS)

Reverse polarity protection

Low power consumption applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

I_F(AV)

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

average forward current

square wave;

δ = 0.5; f = 20 kHz

[1]

[2]

T_amb≤ 135 °C

T_sp≤ 145 °C

V_R= 10 V

100

μA

I_R

reverse current

reverse voltage

forward voltage

0.14 0.5

V_R

V_F

I_F= 10 mA

330

450

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for

cathode 1 cm².

[2] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

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