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RB520CS-30_1

更新时间： 2024-09-21 02:51:35

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	137K
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Schottky barrier diode

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RB520CS-30_1 数据手册

RB520CS-30

Diodes

Schottky barrier diode

RB520CS-30

zApplications

z Dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.55

0.16±0.05

0.6±0.05

zFeatures

1) Ultra Small power mold type.

(VMN2)

2) Low I_R

VMN2

3) High reliability.

0.156

zStructure

0.37±0.03

0.35±0.1

zConstruction

Silicon epitaxial planar

ROHM : VMN2

dot (year week factory) + day

z Taping specifications (Unit : mm)

φ1.55

0.2±0.05

2±0.05

4±0.1

φ0.5

0.52

2±0.05

4.0±0.1

0.7±0.05

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_R

Unit

Reverse voltage (DC)

100

Average rectified forward current

I_FSM

℃

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

500

150

Storage temperature

-40 to +150

Tstg

℃

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Conditions

I_F=10mA

V_R=10V

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

V_F

I_R

0.45

0.5

µA

Rev.C

1/3

12 3 4

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