RB215T-40NZ

更新时间： 2024-09-16 13:12:51

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管局域网
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RB215T-40NZ 数据手册

RB215T-40

Diodes

Schottky barrier diode

RB215T-40

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zStructure

Switching power supply

4.5±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

2.8±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

10.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

zFeatures

1) Cathode common dual type.

(TO-220)

2) Low I^R

3) High reliability

①

1.2

zConstruction

Silicon epitaxial planar

1.3

0.8

(1) (2) (3)

0.7±0.1

0.05

2.6±0.5

ROHM : ＴO220FN

Manufacture Date

①

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

Unit

Forward voltage (repetitive peak)

Forward voltage (DC)

V_RM

V_R

Average rectified forward current（*1）

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）（*1）

Junction temperature

100

150

I_FSM

℃

Storage temperature

-40 to +150

Tstg

(*1)Tc=100℃max Per chip : Io/2

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.55

500

Unit

Conditions

I_F=10A

V_R=40V

junction to case

I_R

Reverse current

µA

Thermal impedance

1.75

θjc

℃/W

Rev.B

1/3

12 3 4

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