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RB218NS100

更新时间: 2024-11-07 11:08:19
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罗姆 - ROHM 开关二极管
页数 文件大小 规格书
9页 1957K
描述
RB218NS100是超低IR的开关电源用肖特基势垒二极管。

RB218NS100 数据手册

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RB218NS100  
Schottky Barrier Diode  
Data sheet  
Outline  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ  
V
100  
20  
V
A
A
R
I
o
I
100  
FSM  
ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
Power mold type  
Cathode common dual type  
Super Low I  
R
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
Switching power supply  
Embossed Tape  
Reel Size(mm)  
Taping Width(mm)  
Quantity(pcs)  
330  
24  
1000  
Structure  
Silicon epitaxial planar  
Taping Code  
TL  
Marking  
RB218NS100  
(T =25ºC unless otherwise specified)  
Absolute Maximum Ratings  
c
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Limits  
Unit  
V
V
Repetitive peak reverse voltage  
Duty0.5  
110  
RM  
V
Reverse voltage  
Reverse direct voltage  
100  
V
A
R
60Hzhalf sin waveformresistive load,  
I
o
Average rectified forward current  
Peak forward surge current  
Junction temperature  
20  
I /2 per diodeT =115Max.  
o
c
60Hzhalf sin waveform,  
I
100  
A
FSM  
non-repetitiveper diodeT =25℃  
a
T
-
-
150  
j
T
stg  
Storage temperature  
-55 150  
Attention  
www.rohm.com  
©2018- ROHMCo., Ltd.All rights reserved.  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
1/6  
2019/05/27_Rev.003  

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