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RB218NS200TL

更新时间: 2024-11-09 15:49:15
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罗姆 - ROHM 测试二极管
页数 文件大小 规格书
9页 1971K
描述
Rectifier Diode,

RB218NS200TL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:5.67
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.88 VJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:10 µA
反向测试电压:200 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB218NS200TL 数据手册

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RB218NS200  
Schottky Barrier Diode  
Data sheet  
Outline  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ  
V
200  
20  
V
A
A
R
I
o
I
100  
FSM  
ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
Power mold type  
Cathode common dual type  
Super Low I  
R
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
Switching power supply  
Embossed Tape  
Reel Size(mm)  
Taping Width(mm)  
Quantity(pcs)  
330  
24  
1000  
Structure  
Silicon epitaxial planar  
Taping Code  
TL  
Marking  
RB218NS200  
(T =25ºC unless otherwise specified)  
Absolute Maximum Ratings  
c
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Limits  
Unit  
V
V
Repetitive peak reverse voltage  
Duty0.5  
200  
RM  
V
Reverse voltage  
Reverse direct voltage  
200  
V
A
R
60Hzhalf sin waveformresistive load,  
I
o
Average rectified forward current  
Peak forward surge current  
Junction temperature  
20  
I /2 per diodeT =115Max.  
o
c
60Hzhalf sin waveform,  
I
100  
A
FSM  
non-repetitiveper diodeT =25℃  
a
T
-
-
150  
j
T
stg  
Storage temperature  
-55 150  
Attention  
www.rohm.com  
©2019- ROHMCo., Ltd.All rights reserved.  
ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
1/6  
2019/08/07_Rev.001  

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220