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RB215T-90HZC9

更新时间: 2024-11-09 21:08:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 877K
描述
Rectifier Diode,

RB215T-90HZC9 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:TO-220FN, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:1.45
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.75 VJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:90 V
最大反向电流:400 µA反向测试电压:90 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

RB215T-90HZC9 数据手册

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Schottky barrier diode  
Data Sheet  
RB215T-90HZ  
AEC-Q101 Qualified  
Structure  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
General rectification  
4.5±0.3  
ꢀꢀꢀ 0.1  
(Common cathode dual chip)  
2.8±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
10.0±0.3  
ꢀꢀꢀ 0.1  
(1) (2) (3)  
Features  
1) Small power mold type.(TO-220)  
2) Low IR  
RB215  
T-90  
3) High reliability  
1.2  
1.3  
0.8  
Construction  
(1) (2) (3)  
0.7±0.1  
0.05  
2.6±0.5  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : O220FN  
Manufacture Date  
Packing Dimensions (Unit : mm)  
7
540  
34.5  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
90  
90  
V
Average rectified forward current(*1)  
Forward current surge peak (60Hz/1cyc) (*1)  
Junction temperature  
20  
Io  
A
100  
IFSM  
Tj  
A
150  
C  
C  
Storage temperature  
40 to 150  
Tstg  
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Ta=110C  
Electrical characteristic (Ta=25C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
Min. Typ. Max.  
Unit  
V
VF  
IR  
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
-
-
-
0.75  
400  
IF=10A  
VR=90V  
junction to case  
μA  
Thermal impedance  
1.75  
jc  
C/W  
www.rohm.com  
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016.09 - Rev.A  
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