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RB215T-90FH

更新时间: 2024-11-06 21:21:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 772K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 90V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220FN, 3 PIN

RB215T-90FH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:TO-220FN, 3 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.73其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.75 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:90 V
最大反向电流:400 µA表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB215T-90FH 数据手册

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Data Sheet  
AEC-Q101 Qualified  
Schottky barrier diode  
RB215T-90FH  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
Structure  
General rectification  
(Common cathode dual chip)  
4.5±0.3  
ꢀꢀꢀ 0.1  
2.8±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
10.0±0.3  
ꢀꢀꢀ 0.1  
(1) (2) (3)  
Features  
1) Small power mold type.(PMDU)  
2) Low IR  
3) High reliability  
1.2  
1.3  
0.8  
Construction  
(1) (2) (3)  
0.7±0.1  
0.05  
2.6±0.5  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : O220FN  
Manufacture Date  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Limits  
90  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
V
V
90  
Average rectified forward current(*1)  
Forward current surge peak (60Hz/1cyc) (*1)  
Junction temperature  
20  
Io  
A
100  
150  
IFSM  
Tj  
A
C  
C  
Storage temperature  
40 to 150  
Tstg  
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Ta=110C  
Electrical characteristic (Ta=25C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
Min. Typ. Max.  
Unit  
V
VF  
IR  
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
-
-
-
0.75  
IF=10A  
VR=90V  
junction to case  
400  
μA  
Thermal impedance  
1.75  
jc  
C/W  
2011.04 - Rev.D  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
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