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RB215T-40

更新时间: 2024-11-06 03:37:55
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罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管局域网
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4页 204K
描述
Schottky barrier diode

RB215T-40 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:8.49
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.55 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e1最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:45 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB215T-40 数据手册

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RB215T-40  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB215T-40  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zStructure  
Switching power supply  
4.5±0.3  
ꢀꢀꢀ 0.1  
2.8±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
10.0±0.3  
ꢀꢀꢀ 0.1  
zFeatures  
1) Cathode common dual type.  
(TO-220)  
2) Low I  
R
3) High reliability  
1.2  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
1.3  
0.8  
(1) (2) (3)  
0.7±0.1  
0.05  
2.6±0.5  
ROHM : TO220FN  
Manufacture Date  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
Unit  
V
Forward voltage (repetitive peak)  
Forward voltage (DC)  
45  
40  
VRM  
VR  
V
Average rectified forward current*1)  
20  
Io  
A
Forward current surge peak 60Hz1cyc)(*1)  
Junction temperature  
100  
150  
IFSM  
Tj  
A
Storage temperature  
-40 to +150  
Tstg  
(*1)Tc=100max Per chip : Io/2  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
VF  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.55  
500  
Unit  
V
Conditions  
IF=10A  
VR=40V  
junction to case  
-
-
-
-
-
-
IR  
Reverse current  
µA  
Thermal impedance  
1.75  
θjc  
/W  
Rev.C  
1/3  

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