RB215T-40FH

更新时间： 2024-11-06 13:12:51

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管局域网
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4页	202K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO220FN, 3 PIN

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RB215T-40FH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	TO220FN, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.73	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.55 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	45 V
最大反向电流：	500 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB215T-40FH 数据手册

RB215T-40

Diodes

Schottky barrier diode

RB215T-40

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zStructure

Switching power supply

4.5±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

2.8±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

10.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

zFeatures

1) Cathode common dual type.

(TO-220)

2) Low I^R

3) High reliability

①

1.2

zConstruction

Silicon epitaxial planar

1.3

0.8

(1) (2) (3)

0.7±0.1

0.05

2.6±0.5

ROHM : ＴO220FN

Manufacture Date

①

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

Unit

Forward voltage (repetitive peak)

Forward voltage (DC)

V_RM

V_R

Average rectified forward current（*1）

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）（*1）

Junction temperature

100

150

I_FSM

℃

Storage temperature

-40 to +150

Tstg

(*1)Tc=100℃max Per chip : Io/2

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.55

500

Unit

Conditions

I_F=10A

V_R=40V

junction to case

I_R

Reverse current

µA

Thermal impedance

1.75

θjc

℃/W

Rev.B

1/3

12 3 4

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