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R6004CND

更新时间： 2024-11-06 09:39:39

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罗姆 - ROHM		驱动
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描述
10V Drive Nch MOSFET

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R6004CND 数据手册

Data Sheet

10V Drive Nch MOSFET

R6004CND

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET

CPT3

(SC-63)

<SOT-428>

6.5

5.1

2.3

0.5

Features

1) Low on-resistance.

2) High-speed switching.

3) Wide SOA.

0.75

0.9 2.3

0.65

2.3

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

(1)

(2)

(3)

0.5

1.0

4) Drive circuits can be simple.

5) Parallel use is easy.

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

∗1

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500



∗2

R6004CND

(1) Gate

(1)

(2)

(3)

(2) Drain

(3) Source

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter Symbol

Drain-source voltage

Limits

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

600

Gate-source voltage

25

Continuous

Pulsed

4

Drain current

I_DP

16

Continuous

Pulsed

I_S

Source current

(Body Diode)

I_SP

Avalanche current

Avalanche energy

Power dissipation

Channel temperature

I_AS

1.1

E_AS

P_D

C

T_ch

T_stg

150

Range of storage temperature

55 to 150

*1 Pw10s, Duty cycle1%

*2 L 500H, V_DD=50V, R_G=25, T_ch=25C

*3 Limited only by maximum temperature allowed.

*4 T_C=25C

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

R_{th (ch-c)}

Limits

3.13

Unit

Channel to Case

C / W

www.rohm.com

2011.10 - Rev.A

1/5

12 3 4 5 6

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