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R6004ENJ

更新时间: 2023-09-03 20:28:12
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罗姆 - ROHM 晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 1535K
描述
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。

R6004ENJ 数据手册

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R6004ENJ  
ꢀꢀNch 600V 4A Power MOSFET  
Datasheet  
ꢀꢀ  
llOutline  
TO-263S  
VDSS  
600V  
0.98Ω  
±4.0A  
58W  
SC-83  
RDS(on)(Max.)  
LPT(S)  
ID  
PD  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
llInner circuit  
llFeatures  
1) Low on-resistance.  
2) Fast switching speed.  
3) Gate-source voltage (V  
ꢀꢀbe ±20V.  
) guaranteed to  
GSS  
4) Drive circuits can be simple.  
5) Parallel use is easy.  
6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant  
llPackaging specifications  
Embossed  
Tape  
Packing  
Reel size (mm)  
330  
24  
llApplication  
Tape width (mm)  
Quantity (pcs)  
Taping code  
Marking  
Type  
Switching  
1000  
TL  
R6004ENJ  
llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)  
a
Parameter  
Drain - Source voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
VDSS  
600  
±4.0  
±2.2  
±8.0  
±20  
*1  
T = 25°C  
ID  
A
C
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
*1  
T = 100°C  
C
ID  
A
*2  
IDP  
A
Static  
V
VGSS  
IAR  
Gate - Source voltage  
AC(f1Hz)  
±30  
V
Avalanche current, repetitive  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive  
0.8  
A
*3  
EAS  
46  
mJ  
mJ  
W
*3  
EAR  
0.13  
58  
*4  
Power dissipation (T = 25°C)  
PD  
C
Tj  
Junction temperature  
150  
Tstg  
Operating junction and storage temperature range  
-55+150  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
© 2019 ROHMCo., Ltd. All rights reserved.  
ꢀ ꢀ  
1/12  
20190527 - Rev.003  

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