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QS8J11TR

更新时间： 2024-02-08 03:44:44

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	581K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TSMT8, 8 PIN

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QS8J11TR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.043 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QS8J11TR 数据手册

Data Sheet

QS8J11

lElectrical characteristic curves

Fig.2 Maximum Safe Operating Area

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve

120

100

Operation in this area

is limited by R_DS(on)

(V_GS= -4.5V)

100

P_W= 100ms

P_W= 1ms

P_W= 10ms

DC Operation

0.1

0.01

T_a=25ºC

Single Pulse

Mounted on a ceramic board.

(30mm × 30mm × 0.8mm)

100

150

200

0.1

100

Drain - Source Voltage : -V_DS[V]

Junction Temperature : T_j[°C]

Fig.3 Normalized Transient Thermal

Resistance vs. Pulse Width

Fig.4 Single Pulse Maximum

Power dissipation

1000

100

T_a=25ºC

Single Pulse

T_a=25ºC

Single Pulse

top D = 1

D = 0.5

D = 0.1

D = 0.05

0.1

D = 0.01

bottom Single

0.01

Rth(ch-a)=83.3ºC/W

Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)

Mounted on ceramic board

(30mm × 30mm × 0.8mm)

0.001

0.0001

0.01

100

0.0001

0.01

100

Pulse Width : P_W[s]

www.rohm.com

2012.10 - Rev.B

4/11

1 2 345 6 7...12

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