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QS8J11TR

更新时间： 2024-02-25 04:07:18

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	581K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TSMT8, 8 PIN

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QS8J11TR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.043 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QS8J11TR 数据手册

Data Sheet

QS8J11

lThermal resistance

Values

Parameter

Symbol

Unit

Min.

Typ.

Max.

83.3

227

°C/W

R_thJA

Thermal resistance, junction - ambient

R_thJA

lElectrical characteristics(T_a= 25°C) ,unless otherwise specified

Values

Typ.

Parameter

Symbol

V_(BR)DSS

Conditions

Unit

Min.

Max.

Drain - Source breakdown

voltage

V_GS= 0V, I_D= -1mA

-12

ΔV_(BR)DSS

ΔT_j

I_D= -1mA

referenced to 25°C

Breakdown voltage

temperature coefficient

mV/°C

-12

I_DSS

I_GSS

V_DS= -12V, V_GS= 0V

V_GS= -8V, V_DS= 0V

V_DS= -6V, I_D= -1mA

Zero gate voltage drain current

Gate - Source leakage current

Gate threshold voltage

-10

-1.0

V_{GS (th)}

-0.3

ΔV_(GS)th

ΔT_j

I_D= -1mA

referenced to 25°C

Gate threshold voltage

temperature coefficient

2.6

mV/°C

V_GS= -4.5V, I_D= -3.5A

V_GS= -2.5V, I_D= -1.7A

V_GS= -1.8V, I_D= -1.7A

V_GS= -1.5V, I_D= -0.7A

V_GS= -4.5V, I_D= -3.5A, T_j=125°C

f = 1MHz, open drain

V_DS= -6V, I_D= -3.5A

150

Static drain - source

on - state resistance

R_DS(on)

R_G

Gate input resistannce

Transconductance

g_fs

*1 Limited only by maximum temperature allowed.

*2 Pw  10ms, Duty cycle  1%

*3 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)

*4 Mounted on a FR4 (20×20×0.8mm)

*5 Pulsed

www.rohm.com

2012.10 - Rev.B

2/11

123 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QS8J12	ROHM	获取价格	1.5V Drive Pch + Pch MOSFET
QS8J12TR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
QS8J13	ROHM	获取价格	QS8J13是低导通电阻的中功率MOSFET。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。
QS8J1TR	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.029ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
QS8J2	ROHM	获取价格	1.5V Drive Pch MOSFET
QS8J4	ROHM	获取价格	4V Drive Pch + Pch MOSFET
QS8J4FRA	ROHM	获取价格	QS8J4FRA is the high reliability Automotive MOSFET, suitable for the switching application
QS8J4FRATR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
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