Datasheet > QS8J11TR

QS8J11TR

更新时间： 2024-01-20 04:51:01

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	581K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TSMT8, 8 PIN

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

QS8J11TR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.043 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

Data Sheet

QS8J11

lElectrical characteristic curves

Fig.13 Static Drain - Source On - State

Resistance vs. Drain Current(I)

Fig.14 Static Drain - Source On - State

Resistance vs. Junction Temperature

1000

T_a=25ºC

V_GS= -1.5V

Pulsed

V_GS= -1.8V

V_GS= -2.5V

V_GS= -4.5V

100

V_GS= -4.5V

I_D= -3.5A

Pulsed

0.01

0.1

-50 -25

25 50 75 100 125 150

Drain Current : -I_D[A]

Junction Temperature : T_j[ºC]

www.rohm.com

2012.10 - Rev.B

7/11

1...4 5 678 9 10...12

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
QS8J12	ROHM	1.5V Drive Pch + Pch MOSFET	获取价格
QS8J12TR	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
QS8J13	ROHM	QS8J13是低导通电阻的中功率MOSFET。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。	获取价格
QS8J1TR	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.029ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
QS8J2	ROHM	1.5V Drive Pch MOSFET	获取价格
QS8J4	ROHM	4V Drive Pch + Pch MOSFET	获取价格