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QS8J12

更新时间： 2024-01-23 02:47:35

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罗姆 - ROHM		驱动
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7页	1189K
描述
1.5V Drive Pch + Pch MOSFET

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QS8J12 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.029 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QS8J12 数据手册

Data Sheet

1.5V Drive Pch + Pch MOSFET

QS8J12

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

TSMT8

Silicon P-channel MOSFET

(8) (7) (6) (5)

Features

1) Low On-resistance.

2) Small high power package.

3) Low voltage drive(1.5V drive).

(1) (2) (3) (4)

Abbreviated symbol : J12

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

Package

Taping

TCR

3000



(8)

(7)

(6)

(5)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

QS8J12

∗2

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

(5) Tr2 Drain

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

∗1

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter Symbol

Drain-source voltage

Limits

12

Unit

(1)

(2)

(3)

(4)

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-source voltage

0 to 8

4.5

18

Continuous

Pulsed

Drain current

I_DP

I_s

Continuous

Pulsed

1

Source current

(Body Diode)

I_sp

18

1.5

1.25

W / TOTAL

P_D

Power dissipation

W / ELEMENT

Channel temperature

Tch

150

C

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

Tstg

55 to 150

*2 Mounted on a ceramic board.

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

83.3

100

Unit

˚C / W /TOTAL

˚C / W /ELEMENT

Channel to Ambient

Rth (ch-a)

* Mounted on a ceramic board.

www.rohm.com

2011.05 - Rev.A

1/6

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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