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QS8K12TR

更新时间： 2024-01-30 22:27:37

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罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	545K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TSMT8, 8 PIN

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QS8K12TR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.063 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QS8K12TR 数据手册

QS8K12

Nch 30V 4A Power MOSFET

Datasheet

lOutline

(8)

V_DSS

30V

42mW

(7)

TSMT8

(6)

(5)

R_DS(on)(Max.)

(1)

(2)

(3)

I_D

P_D

1.5W

(4)

lFeatures

1) Low on - resistance.

lInner circuit

(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain

(2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain

(3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain

(4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small Surface Mount Package (TSMT8).

4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

*1 ESD PROTECTION DIODE

*2 BODY DIODE

lPackaging specifications

Packaging

Taping

180

Reel size (mm)

lApplication

Tape width (mm)

Type

DC/DC converters

Basic ordering unit (pcs)

3,000

Taping code

Marking

K12

lAbsolute maximum ratings(T_a= 25°C) <It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

V_DSS

Value

Unit

Continuous drain current

Pulsed drain current

I_D

4

I_D,pulse

12

V_GSS

Gate - Source voltage

20

1.5

W / total

W / element

W / total

°C

P_D

Power dissipation

1.25

0.55

P_D

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Range of storage temperature

°C

-55 to +150

www.rohm.com

2013.03 - Rev.B

1/11

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