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QS8K12TR

更新时间： 2024-02-18 20:57:50

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	545K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TSMT8, 8 PIN

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QS8K12TR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.063 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QS8K12TR 数据手册

Data Sheet

QS8K12

lElectrical characteristic curves

Fig.9 Gate Threshold Voltage

vs. Junction Temperature

Fig.10 Transconductance vs. Drain Current

V_DS= 10V

Pulsed

V_DS= 10V

I_D= 1mA

Pulsed

T_a= -25ºC

T_a=25ºC

T_a=75ºC

T_a=125ºC

0.1

0.01

-50

100

150

0.001

0.01

0.1

Junction Temperature : T_j[°C]

Drain Current : I_D[A]

Fig.11 Drain CurrentDerating Curve

Fig.12 Static Drain - Source On - State

Resistance vs. Gate Source Voltage

1.2

100

T_a=25ºC

Pulsed

0.8

0.6

0.4

0.2

I_D= 2.0A

I_D= 4.0A

-25

75 100 125 150

Gate - Source Voltage : V_GS[V]

Junction Temperature : T_j[ºC]

www.rohm.com

2013.03 - Rev.B

6/11

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