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QS8M51

更新时间： 2024-02-28 07:08:46

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罗姆 - ROHM		驱动
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11页	1265K
描述
4V Drive Nch + Pch MOSFET

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QS8M51 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSMT8, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.64	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.355 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QS8M51 数据手册

Data Sheet

4V Drive Nch + Pch MOSFET

QS8M51

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET/

Silicon P-channel MOSFET

TSMT8

(8) (7) (6) (5)

Features

(1) (2) (3) (4)

1) Low on-resistance.

2) Low voltage drive (4V drive).

3) Small surface mount package (TSMT8).

Abbreviated symbol : M51

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

Package

Taping

(8)

(7)

(6)

(5)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000



QS8M51

∗2

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

(5) Tr2 Drain

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

∗1

(1)

(2)

(3)

(4)

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter Symbol

Limits

Unit

Tr1 : N-ch Tr2 : P-ch

Drain-source voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

100

20

2

100

20

1.5

6

1.0

6

Gate-source voltage

Continuous

Pulsed

Drain current

I_DP

I_s

6

1.0

Continuous

Pulsed

Source current

(Body Diode)

I_sp

1.5

1.25

150

W / TOTAL

P_D

Power dissipation

W / ELEMENT

Channel temperature

Tch

C

55 to 150

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

Tstg

*2 Mounted on a ceramic board.

www.rohm.com

2011.07 - Rev.A

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