Datasheet > QS8M51

QS8M51

更新时间： 2024-02-08 04:37:56

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		驱动
页数	文件大小	规格书
11页	1265K
描述
4V Drive Nch + Pch MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

QS8M51 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSMT8, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.64	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.355 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QS8M51 数据手册

Data Sheet

QS8M51

ꢀ

〈Tr.2(Pch)〉

Fig.1 Typical Output Characteristics (Ⅰ)

Fig.2 Typical Output Characteristics (Ⅱ)

1.5

T_a=25℃

Pulsed

V_GS=-10.0V

V_GS=-4.5V

V_GS=-4.0V

V_GS=-2.8V

V_GS=-4.5V

V_GS=-4.0V

V_GS=-2.8V

V_GS=-2.5V

0.5

V_GS=-2.5V

T_a=25℃

Pulsed

0.2

0.4

0.6

0.8

Drain-Source Voltage : -V_DS[V]

Fig.3 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current

Fig.4 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current

10000

1000

100

1000

V_GS=-10V

pulsed

T_a=25℃

Pulsed

T_a= 125℃

T_a= 75°C

T_a= 25°C

T_a= -25°C

V_GS=-4.0V

V_GS=-4.5V

V_GS=-10V

100

0.01

0.1

Drain Current : -I_D[A]

Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current

10000

Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current

10000

V_GS=-4V

pulsed

V_GS=-4.5V

pulsed

T_a= 125℃

T_a= 75°C

T_a= 25°C

T_a= -25°C

T_a= 125℃

T_a= 75°C

T_a= 25°C

T_a= -25°C

1000

100

1000

100

0.01

0.1

0.01

0.1

Drain Current : -I_D[A]

www.rohm.com

7/10

2011.07 - Rev.A

1...4 5 678 9 10 11

下载PDF

与QS8M51相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
QS8M51FRA	ROHM	QS8M51FRA is the high reliability Automotive MOSFET, suitable for the switching applicatio	获取价格
QS8M51FRATR	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor,	获取价格
QS8M51HZG	ROHM	QS8M51HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高	获取价格
QS8M51TR	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.355ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel	获取价格
QSA	ITT	Excellent tactile feel, SMT switch adapted for low current, Only actuate 1 direction at a	获取价格
QSA	CK-COMPONENTS	Silent Navigation Switch for SMT	获取价格