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QS8J1TR

更新时间： 2024-02-04 06:15:28

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罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	183K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.029ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT8, 8 PIN

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QS8J1TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QS8J1TR 数据手册

QS8J1

Transistors

1.5V Drive Pch+Pch MOSFET

QS8J1

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

Silicon P-channel MOSFET

TSMT8

(8) (7) (6) (5)

zFeatures

1) Low On-resistance.

2) Low voltage drive. (1.5 V)

3) High power package.

(1) (2) (3) (4)

zApplications

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : J01

Switching

zPackaging specifications

zInner circuit

Package

Taping

(8)

(7)

(6)

(5)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

QS8J1

∗2

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

(5) Tr2 Drain

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

∗1

(1)

(2)

(3)

(4)

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

−12

Unit

Continuous

4.5

Drain current

Pulsed

∗1

I_DP

Source current

(Body diode)

Continuous

I_S

−1

−18

1.5

∗1

∗2

Pulsed

I_SP

W / TOTAL

W / ELEMENT

Total power dissipation

P_D

1.25

Channel temperature

Tch

150

°C

Range of Storage temperature

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Mounted on a ceramic board

Tstg

−55 to +150

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

83.3

100

Unit

°C/W / TOTAL

°C/W / ELEMENT

Channel to ambient

Rth(ch-a) ^∗

∗ Mounted on a ceramic board.

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