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QS8J1TR

更新时间： 2024-02-17 14:08:23

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罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	183K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.029ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT8, 8 PIN

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QS8J1TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QS8J1TR 数据手册

QS8J1

Transistors

100

4.5

V_GS=-6V

Pulsed

Ta=25

℃

Ta=25

V_DD= -6V

I_D=-4.5A

R_G=10Ω

Pulsed

I_D= -2.2A

3.5

I_D= -4.5A

2.5

Ta= -25℃

Ta= 25℃

Ta= 75℃

Ta= 125℃

1.5

0.5

0.0

0.1

1.0

10.0

TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]

GATE-SURCE VOLTAGE : -V_GS[V]

DRAIN CURRENT : I_D[A]

Fig.10 Static Drain-Source On-State

Fig.12 Dynamic Input Characteristics

Fig.11 Forward Transfer Admittance

vs. Drain Current

Resistance vs. Gate-Source Voltage

Ta=25℃

_DD= -6V

10000

1000

100

10000

1000

100

Ta=25℃

f=1MHz

V_GS=0V

V_GS=-4.5V

R_G=10Ω

Pulsed

td(off)

Ciss

Coss

Crss

td(on)

0.01

0.1

100

DRAIN CURRENT : -I_D[A]

Fig.14 Switching Characteristics

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V_DS[V]

Fig.13 Typical Capacitance

vs. Drain-Source Voltage

4/5

1 2 345 6

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