是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.76 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A | 最大漏极电流 (ID): | 4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.063 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F8 | JESD-609代码: | e2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN COPPER |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
QS8K12TR | ROHM | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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QS8K13 | ROHM | 4V Drive Nch + Nch MOSFET |
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QS8K13TCR | ROHM | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.039ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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QS8K2 | ROHM | 2.5V Drive Nch MOSFET |
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QS8K21 | ROHM | 4V Drive Nch + Nch MOSFET |
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QS8K2FRA | ROHM | QS8K2FRA is the high reliability Automotive MOSFET, suitable for the switching application |
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