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QS8K12TCR

更新时间： 2024-01-22 23:00:06

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罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	622K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.063ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT8, 8 PIN

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QS8K12TCR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.063 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

QS8K12TCR 数据手册

Data Sheet

QS8K12

ꢀ

Fig.8 Typical Transfer Characteristics

Fig.7 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current

V_DS=10V

pulsed

V_DS=10V

pulsed

T_a= 125℃

T_a= 75°C

T_a= 25°C

T_a= - 25°C

0.1

T_a= 125℃

T_a= 75°C

T_a= 25°C

T_a= - 25°C

0.1

0.01

0.001

0.01

0.001

0.01

0.1

Drain Current : I_D[A]

2.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

Gate-Source Voltage : V_GS[V]

Fig.9 Source Current vs. Source-Drain Voltage

Fig.10 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage

100

V_GS=0V

pulsed

T_a=25℃

Pulsed

T_a= 125℃

T_a= 75°C

T_a= 25°C

T_a= - 25°C

I_D=2.0A

I_D=4.0A

0.1

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

Gate-Source Voltage : V_GS[V]

Source-Drain Voltage : V_SD[V]

Fig.12 Dynamic Input Characteristics

Fig.11 Switching Characteristics

1000

100

V_DD≒15V

T_a=25°C

V_DD=15V

I_D=4A

V_GS=10V

R_G=10Ω

t_f

T_a=25°C

Pulsed

t_d(off)

t_d(on)

t_r

0.01

0.1

Drain Current : I_D[A]

Total Gate Charge : Q_g[nC]

www.rohm.com

4/6

2011.05 - Rev.A

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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