是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 16 weeks |
风险等级: | 1.71 | Samacsys Description: | QS8J2TR Dual P-Channel MOSFET, 4 A, 12 V QS8J2, 8-Pin TSMT ROHM |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 12 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A | 最大漏极电流 (ID): | 4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.036 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F8 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
QS8J4 | ROHM | 4V Drive Pch + Pch MOSFET |
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QS8J4FRA | ROHM | QS8J4FRA is the high reliability Automotive MOSFET, suitable for the switching application |
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QS8J4FRATR | ROHM | Small Signal Field-Effect Transistor, |
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QS8J4HZG | ROHM | QS8J4HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可 |
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QS8J5 | ROHM | 4V Drive Pch + Pch MOSFET |
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QS8K11 | ROHM | 4V Drive Nch + Nch MOSFET |
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