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QS8J2

更新时间： 2024-02-21 20:49:56
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罗姆 - ROHM 驱动
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6页 371K
描述
1.5V Drive Pch MOSFET

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QS8J2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.71Samacsys Description：QS8J2TR Dual P-Channel MOSFET, 4 A, 12 V QS8J2, 8-Pin TSMT ROHM
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

QS8J2 数据手册

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Data Sheet  
ꢀ
QS8J2  
Electrical characteristics (Ta = 25C)  
<It is the same ratings for Tr1 and Tr2.>  
Parameter  
Symbol  
IGSS  
Min.  
Typ.  
-
Max.  
Unit  
A VGS=±10V, VDS=0V  
ID=1mA, VGS=0V  
A VDS=12V, VGS=0V  
Conditions  
Gate-source leakage  
-
10  
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS  
12  
-
-
V
Zero gate voltage drain current  
Gate threshold voltage  
IDSS  
-
-
1  
VGS (th)  
0.3  
-
1.0  
V
VDS=6V, ID=1mA  
ID=4A, VGS=4.5V  
ID=2A, VGS=2.5V  
ID=2A, VGS=1.8V  
ID=0.8A, VGS=1.5V  
ID=4A, VDS=6V  
-
26  
36  
46  
66  
-
36  
*
-
50  
Static drain-source on-state  
resistance  
RDS (on)  
m  
-
69  
-
132  
*
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
l Yfs l  
Ciss  
5.5  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1940  
260  
240  
10  
60  
300  
180  
20  
3.5  
3.0  
pF VDS=6V  
Coss  
Crss  
pF VGS=0V  
pF f=1MHz  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
*
ns ID=2A, VDD 6V  
ns VGS=4.5V  
ns RL 3  
*
Turn-off delay time  
Fall time  
*
*
*
*
*
ns RG=10  
Total gate charge  
Gate-source charge  
Gate-drain charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
nC ID=4A, VDD 6V  
nC VGS=4.5V RL 1.5  
nC RG=10  
*Pulsed  
Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25C)  
<It is the same ratings for Tr1 and Tr2.>  
Parameter  
Forward Voltage  
Symbol  
Min.  
-
Typ.  
-
Max. Unit  
1.2  
Conditions  
*
VSD  
V
Is=4A, VGS=0V  
*Pulsed  
www.rohm.com  
2010.09 - Rev.A  
2/5  
©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123456

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