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QS8J12

更新时间： 2024-02-25 12:33:39

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QS8J12 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.029 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

Data Sheet

QS8J12

ꢀ

Fig.13 Dynamic Input Characteristics

Fig.14 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage

10000

1000

100

C_iss

C_oss

T_a=25°C

V_DD= -6V

I_D= -4.5A

R_G=10W

Pulsed

Ta=25°C

f=1MHz

V_GS=0V

C_rss

10 15 20 25 30 35 40 45 50

TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]

0.01

0.1

100

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V_DS[V]

www.rohm.com

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2011.05 - Rev.A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QS8J12TR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
QS8J13	ROHM	获取价格	QS8J13是低导通电阻的中功率MOSFET。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。
QS8J1TR	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.029ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
QS8J2	ROHM	获取价格	1.5V Drive Pch MOSFET
QS8J4	ROHM	获取价格	4V Drive Pch + Pch MOSFET
QS8J4FRA	ROHM	获取价格	QS8J4FRA is the high reliability Automotive MOSFET, suitable for the switching application
QS8J4FRATR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
QS8J4HZG	ROHM	获取价格	QS8J4HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可
QS8J5	ROHM	获取价格	4V Drive Pch + Pch MOSFET
QS8K11	ROHM	获取价格	4V Drive Nch + Nch MOSFET