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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.029 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| QS8J12TR | ROHM |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| QS8J13 | ROHM |
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QS8J13是低导通电阻的中功率MOSFET。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。 |
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| QS8J1TR | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.029ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| QS8J2 | ROHM |
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1.5V Drive Pch MOSFET |
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| QS8J4 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Pch + Pch MOSFET |
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| QS8J4FRA | ROHM |
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QS8J4FRA is the high reliability Automotive MOSFET, suitable for the switching application |
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| QS8J4FRATR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| QS8J4HZG | ROHM |
获取价格 |
QS8J4HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可 |
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| QS8J5 | ROHM |
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4V Drive Pch + Pch MOSFET |
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| QS8K11 | ROHM |
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4V Drive Nch + Nch MOSFET |
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