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QS8J11TR

更新时间： 2024-01-01 12:05:43

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	581K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TSMT8, 8 PIN

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QS8J11TR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.043 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QS8J11TR 数据手册

Data Sheet

QS8J11

lElectrical characteristic curves

Fig.9 Gate Threshold Voltage

vs. Junction Temperature

Fig.10 Transconductance vs. Drain Current

100

V_DS= -10V

I_D= -1mA

Pulsed

V_DS= -6V

Pulsed

T_a= -25ºC

T_a=25ºC

T_a=75ºC

T_a=125ºC

0.1

0.01

0.1

-50

100

150

Junction Temperature : T_j[°C]

Drain Current : -I_D[A]

Fig.11 Drain CurrentDerating Curve

Fig.12 Static Drain - Source On - State

Resistance vs. Gate Source Voltage

1.2

200

150

100

T_a=25ºC

Pulsed

0.8

0.6

0.4

0.2

I_D= -0.7A

I_D= -3.5A

-25

75 100 125 150

Gate - Source Voltage : -V_GS[V]

Junction Temperature : T_j[ºC]

www.rohm.com

2012.10 - Rev.B

6/11

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