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QS8J11

更新时间： 2024-02-26 22:29:13

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QS8J11 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.043 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

Data Sheet

QS8J11

ꢀ

 Measurement circuits

Pulse Width

10%

50%

90%

D.U.T.

10%

90%

10%

90%

^DStd(on)

td(off)

toff

Fig.1-2ꢀSwitching Waveforms

Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit

VDS

Q^g

D.U.T.

G(Const.)

Qgs

Qgd

VDD

Charge

Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit

Fig.2-2 Gate Charge Waveform

 Notice

This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment. Please consider to design ESD

protection circuit.

www.rohm.com

6/6

2011.04 - Rev.A

1...3 4 567

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
QS8J11TCR	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 0.043ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
QS8J11TR	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
QS8J12	ROHM	1.5V Drive Pch + Pch MOSFET	获取价格
QS8J12TR	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
QS8J13	ROHM	QS8J13是低导通电阻的中功率MOSFET。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。	获取价格
QS8J1TR	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.029ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格