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QS8J11

更新时间： 2024-02-19 07:38:45

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罗姆 - ROHM		驱动
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7页	1260K
描述
1.5V Drive Pch Pch MOSFET

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QS8J11 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.043 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QS8J11 数据手册

Data Sheet

QS8J11

ꢀ

 Electrical characteristics (Ta = 25C)

Parameter

Symbol

I_GSS

Min.

Typ.

Max.

Unit

A V_GS=8V, V_DS=0V

I_D=1mA, V_GS=0V

A V_DS=12V, V_GS=0V

Conditions

Gate-source leakage

10

Drain-source breakdown voltage V _(BR)DSS

12

Zero gate voltage drain current

Gate threshold voltage

I_DSS

10

V_{GS (th)}

0.3

1.0

m

V_DS=6V, I_D=1mA

I_D=3.5A, V_GS=4.5V

I_D=1.7A, V_GS=2.5V

I_D=1.7A, V_GS=1.8V

I_D=0.7A, V_GS=1.5V

I_D=3.5A, V_DS=6V

Static drain-source on-state

resistance

R_{DS (on)}

150

Forward transfer admittance

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

l Y_fsl

C_iss

2600

170

150

170

3.8

3.0

pF V_DS=6V

pF V_GS=0V

C_oss

C_rss

pF f=1MHz

t_d(on)

ns I_D=1.7A, V_DD6V

ns V_GS=4.5V

ns R_L=3.5

t_r

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

ns R_G=10

Total gate charge

Gate-source charge

Gate-drain charge

Q_g

Q_gs

Q_gd

nC I_D=3.5A

nC V_DD6V

nC V_GS=4.5V

*Pulsed

Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25C)

Parameter

Forward Voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max. Unit

1.2

Conditions

V_SD

I_s=3.5A, V_GS=0V

*Pulsed

www.rohm.com

2/6

2011.04 - Rev.A

123 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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