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QS8J11TR

更新时间： 2024-02-19 06:56:19

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	581K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TSMT8, 8 PIN

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QS8J11TR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.043 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QS8J11TR 数据手册

QS8J11

Pch -12V -3.5A Power MOSFET

Datasheet

lOutline

(8)

V_DSS

-12V

43mW

-3.5A

1.5W

(7)

TSMT8

(6)

(5)

R_DS(on)(Max.)

(1)

(2)

(3)

I_D

P_D

(4)

lFeatures

lInner circuit

1) Low on - resistance.

(1) Tr1 Source (5) Tr2 Drain

(2) Tr1 Gate (6) Tr2 Drain

(3) Tr2 Source (7) Tr1 Drain

(4) Tr2 Gate (8) Tr1 Drain

2) -1.5V Drive.

3) Built-in G-S Protection Diode.

4) Small Surface Mount Package (TSMT8).

5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

*1 ESD PROTECTION DIODE

*2 BODY DIODE

lPackaging specifications

Packaging

Taping

180

Reel size (mm)

lApplication

Tape width (mm)

Type

DC/DC converters

Basic ordering unit (pcs)

3,000

Taping code

Marking

J11

lAbsolute maximum ratings(T_a= 25°C) <It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

V_DSS

Value

-12

Unit

Continuous drain current

Pulsed drain current

I_D

3.5

I_D,pulse

12

V_GSS

Gate - Source voltage

0 to -8

1.5

W / total

W / element

W / total

°C

P_D

Power dissipation

1.25

0.55

P_D

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Range of storage temperature

°C

-55 to +150

www.rohm.com

2012.10 - Rev.B

1/11

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
QS8J12	ROHM	1.5V Drive Pch + Pch MOSFET	获取价格
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