Datasheet > QS8J11

QS8J11

更新时间： 2024-01-20 15:12:45

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		驱动
页数	文件大小	规格书
7页	1260K
描述
1.5V Drive Pch Pch MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

QS8J11 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.043 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QS8J11 数据手册

Data Sheet

QS8J11

ꢀ

Fig.7 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current

Fig.8 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current

100

1000

100

V_DS=-6V

pulsed

V_GS=-1.5V

pulsed

T_a=125°C

T_a=75°C

T_a=25°C

T_a=-25°C

T_a=125°C

T_a=75°C

T_a=25°C

T_a=-25°C

0.1

0.01

0.1

0.01

0.1

2.0

Drain Current : -I_D[A]

Fig.10 Source Current vs. Source-Drain Voltage

Fig.9 Typical Transfer Characteristics

V_GS=0V

pulsed

V_DS=-6V

pulsed

0.1

T_a=125°C

T_a=75°C

T_a=25°C

T_a=-25°C

T_a=125°C

T_a=75°C

T_a=25°C

T_a=-25°C

0.1

0.01

0.001

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

0.0

0.5

1.0

1.5

Gate-Source Voltage : -V_GS[V]

Source-Drain Voltage : -V_SD[V]

Fig.11 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage

200

Fig.12 Switching Characteristics

1000

100

T_a=25°C

pulsed

t_d(off)

I_D=-0.7A

150

I_D=-3.5A

t_f

100

t_r

t_d(on)

_DD≒-6V

V_GS=-4.5V

R_G=10Ω

T_a=25°C

Pulsed

0.01

0.1

Gate-Source Voltage : -V_GS[V]

Drain Current :- I_D[A]

www.rohm.com

4/6

2011.04 - Rev.A

1 2 345 6 7

下载PDF

与QS8J11相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
QS8J11TCR	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 0.043ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格
QS8J11TR	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
QS8J12	ROHM	1.5V Drive Pch + Pch MOSFET	获取价格
QS8J12TR	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
QS8J13	ROHM	QS8J13是低导通电阻的中功率MOSFET。采用小型表面安装封装，有助于节省空间。	获取价格
QS8J1TR	ROHM	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.029ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me	获取价格