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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> PTFA092201F
PTFA092201F PDF预览

PTFA092201F

更新时间： 2024-11-23 09:58:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体射频场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
11页 372K
描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 920 - 960 MHz

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PTFA092201F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F2
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：GOLD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTFA092201F 数据手册

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PTFA092201E  
PTFA092201F  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs  
220 W, 920 – 960 MHz  
Description  
The PTFA092201E and PTFA092201F are 220-watt, internally-  
matched LDMOS FETs intended for EDGE and WCDMA applications  
in the 920 to 960 MHz band. Manufactured with Infineon's advanced  
LDMOS process, these devices provide excellent thermal  
performance and superior reliability.  
PTFA092201E  
Package H-36260-2  
PTFA092201F  
Package H-37260-2  
Features  
2-Carrier WCDMA Performance  
VDD = 30 V, IDQ = 1850 mA, ƒ = 960 MHz, 3GPP WCDMA  
signal, P/A R = 8.1 dB, 10 MHz carrier spacing,  
3.84 MHz bandwidth  
•
Pb-free, RoHS-compliant and thermally-enhanced  
packages  
•
•
Broadband internal matching  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
-60  
Typical two-carrier WCDMA performance at  
960 MHz, 30 V  
- Average output power = 55 W  
- Linear Gain = 18.5 dB  
- Efficiency = 30%  
- Intermodulation distortion = –37 dBc  
- Adjacent channel power = –39 dBc  
IMD  
ACPR  
•
•
Typical CW performance, 960 MHz, 30 V  
- Output power at P–1dB = 250 W  
- Gain = 17.5 dB  
Gain  
Efficiency  
- Efficiency = 59%  
Integrated ESD protection: Human Body Model,  
Class 2 (minimum)  
30  
35  
40  
45  
50  
Output Power, Avg. (dBm)  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 30 V,  
220 W (CW) output power  
RF Characteristics  
Two-carrier WCDMA Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test  
fixture)  
V
DD  
= 30 V, I  
= 1850 mA, P  
= 55 W average  
OUT  
DQ  
ƒ = 950 MHz, ƒ = 960 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz, peak/average = 8.1 dB @ 0.01% CCDF  
1
2
Characteristic  
Symbol  
Min  
—
Typ  
–37  
18.5  
30  
Max  
—
Unit  
dBc  
dB  
Intermodulation Distortion  
Gain  
IMD  
G
ps  
—
—
Drain Efficiency  
hD  
—
—
%
All published data at T  
= 25 °C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 11  
Rev. 03.1, 2009-02-20  
1234567...11

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与PTFA092201F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA092201FV4 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
PTFA092201FV4R0 INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs
PTFA092201FV4R0XTMA1 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor,
PTFA092201FV4R250 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor,
PTFA092201FV4R250XTMA1 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor,
PTFA092211EL INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 2
PTFA092211ELV4 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
PTFA092211FL INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 2
PTFA092211FL-250W INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor
PTFA092213EL INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 920-960 MHz

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