5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > PTFA092211ELV4
PTFA092211ELV4 PDF预览

PTFA092211ELV4

更新时间： 2024-11-23 21:17:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 425K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, H-33288-2, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

PTFA092211ELV4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：HGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-XDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTFA092211ELV4 数据手册

 浏览型号PTFA092211ELV4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PTFA092211ELV4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PTFA092211ELV4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PTFA092211ELV4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PTFA092211ELV4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PTFA092211ELV4的Datasheet PDF文件第7页 
PTFA092211EL  
PTFA092211FL  
Confidential, Limited Internal Distribution  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs  
220 W, 920 – 960 MHz  
Description  
The PTFA092211EL and PTFA092211FL are 220-watt, internally-  
matched LDMOS FETs intended for EDGE and WCDMA applications  
in the 920 to 960 MHz band. Manufactured with Infineon's advanced  
LDMOS process, these devices provide excellent thermal  
performance and superior reliability.  
PTFA092211EL  
Package H-33288-2  
PTFA092211FL  
Package H-34288-2  
Features  
Two-carrier WCDMA Performance  
VDD = 30 V, IDQ = 1.50 A, ƒ = 940 MHz, 3GPP WCDMA  
signal, PAR = 6.5 dB, 5 MHz carrier spacing  
•
•
Broadand internal matching  
al two-carrier WCDMA performance at  
94MHz, 30 V  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
-20  
-25  
-30  
-5  
-40  
-45  
-50  
- Average output power = 50 W  
- Linear Gain = 18.0 dB  
- Efficiency = 30%  
- Intermodulation distortion = –37 dBc  
•
•
Typical CW performance, 940 MHz, 30 V  
- Output power at P–1dB = 250 W  
- Gain = 17.0 dB  
Efficiency  
- Efficiency = 59%  
Integrated ESD protection: Human Body Model,  
Class 2 (minimum)  
ACP  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 30 V,  
220 W (CW) output power  
40 41 42 43 44 45 46 47 48 49  
Output Power, Avg. (dBm)  
•
Pb-free, RoHS-compliant and thermally-enhanced  
packages  
RF Characteristi
Two-carrierWCDMA Measurements (tested in Infineon test fixture)  
= 30 V, I = 1750 mA, P = 50 W (AVG),  
V
DD  
DQ  
OUT  
ƒ = 937.5 MHz, ƒ = 942.5 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz, peak/average = 7.5 dB @ 0.01% CCDF  
1
2
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
17.0  
28.5  
—
Typ  
18.0  
30  
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
hD  
—
%
Intermodulation Distortion  
IMD  
–34  
–32  
dBc  
All published data at T  
= 25 °C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet – DISCONTINUED 1 of 10  
Rev. 03, 2014-02-12  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与PTFA092211ELV4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA092211FL INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 2
PTFA092211FL-250W INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor
PTFA092213EL INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 920-960 MHz
PTFA092213ELV4 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
PTFA092213FL INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 920-960 MHz
PTFA092213FLV4 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
PTFA092213FLV4XWSA1 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
PTFA092213FLV5XWSA1 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor
PTFA142401EL INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 24
PTFA142401ELV4 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

与PTFA092211ELV4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证