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PTFA180701EV4R0XTMA1

更新时间： 2024-11-23 19:47:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 4143K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, H-36265-2, 2 PIN

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PTFA180701EV4R0XTMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：GREEN, H-36265-2, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：L BANDJESD-30 代码：S-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTFA180701EV4R0XTMA1 数据手册

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PTFA180701E  
PTFA180701F  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs  
70 W, 1805 – 1880 MHz  
Description  
The PTFA180701E and PTFA180701F are 70-watt LDMOS FETs designed  
for GSM and GSM EDGE power amplifier applications in the 1805 MHz to  
1880 MHz band. Features include input and output matching, and thermally-  
enhanced packages with slotted or earless flanges. Manufactured with  
Infineon's advanced LDMOS process, these devices provide excellent  
thermal performance and superior reliability.  
PTFA180701E  
Package H-36265-2  
PTFA180701F  
Package H-37265-2  
Features  
EDGE EVM Performance  
VDD = 28 V, IDQ = 550 mA, ƒ = 1836.6 MHz  
•
Thermally-enhanced packages, Pb-free and  
RoHS-compliant  
5
4
3
2
1
0
50  
40  
30  
20  
10  
0
•
•
Broadband internal matching  
Typical EDGE performance  
- Average output power = 44 dBm  
- Gain = 16.5 dB  
- Efficiency = 40.5%  
- EVM = 2.0%  
Efficiency  
•
•
Typical CW performance  
- Output power at P–1dB = 72 W  
- Gain = 15.5 dB  
- Efficiency = 59%  
Integrated ESD protection: Human Body  
Model, Class 2 (minimum)  
EVM  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
30  
32  
34  
36  
38  
40  
42  
44  
46  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,  
70 W (CW) output power  
Output Power, avg. (dBm)  
RF Characteristics  
EDGE Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)  
V
DD  
= 28 V, I  
= 550 mA, P = 44 dBm, ƒ = 1836.6 MHz  
DQ  
OUT  
Characteristic  
Symbol  
EVM RMS  
ACPR  
Min  
—
Typ  
2.0  
Max  
—
Unit  
%
Error Vector Magnitude  
Modulation Spectrum  
@ 400 kHz  
@ 600 kHz  
—
–62  
–76  
16.5  
40.5  
—
dBc  
dBc  
dB  
ACPR  
—
—
Gain  
G
ps  
—
—
Drain Efficiency  
hD  
—
—
%
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 11  
Rev. 03.2, 2016-06-21  
1234567...11

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