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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> PTFA190451F
PTFA190451F PDF预览

PTFA190451F

更新时间： 2024-11-19 09:58:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体射频场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
10页 368K
描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 1930 - 1990 MHz

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PTFA190451F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F2
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：GOLD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTFA190451F 数据手册

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PTFA190451E  
PTFA190451F  
Confidential, Limited Internal Distribution  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs  
45 W, 1930 – 1990 MHz  
Description  
The PTFA190451E and PTFA190451F are thermally-enhanced,  
45-watt, internally matched LDMOS FETs designed for WCDMA,  
TD-SCDMA and other cellular standards in the 1930 to 1990 MHz  
frequency band. These devices are available in thermally-enhanced  
packages with eared or earless flanges. Manufactured with Infineon's  
advanced LDMOS process, these devices provide excellent thermal  
performance and superior reliability.  
PTFA190451E  
Package H-36265-2  
PTFA190451F  
Package H-37265-2  
Features  
2-Carrier WCDMA Drive-up  
VDD = 28 V, IDQ = 450 mA, ƒ = 1960 MHz, 3GPP WCDMA  
signal, PAR = 8 dB, 10 MHz carrier spacing  
•
•
Broadband internal matching  
Typical two-carrier WCDMA performance at 1960  
MHz, 28 V  
-25  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
- Average output power = 11 W  
- Linear gain = 17.5 dB  
- Efficiency = 28.0%  
- Intermodulation distortion = –39 dBc  
- Adjacent channel power = –42 dBc  
Efficiency  
IM3  
•
•
Typical CW performance, 1960 MHz, 28 V  
- Output power at P–1dB = 60 W  
- Efficiency = 60%  
Integrated ESD protection: Human Body Model,  
Class 2 (minimum)  
ACPR  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,  
45 W (CW) output power  
30  
32  
34  
36  
38  
40  
42  
Average Output Power (dBm)  
•
Pb-free and RoHS compliant  
RF Characteristics  
WCDMA Measurements (tested in Infineon test fixture)  
= 28 V, I = 450 mA, P = 11 W average  
V
DD  
DQ  
OUT  
ƒ = 1955 MHz, ƒ = 1965 MHz, 3GPP signal, channel bandwidth = 3.84 MHz , peak/average = 8 dB @ 0.01% CCDF  
1
2
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
16.5  
27  
Typ  
17.5  
28  
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
hD  
—
%
Intermodulation Distortion  
IMD  
—
–39  
–37  
dBc  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 10  
Rev. 03.1, 2009-02-20  
1234567...10

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与PTFA190451F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA190451F-45W INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor
PTFA190451FV4 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
PTFA191001E INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1930-1990 MHz
PTFA191001EV4 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
PTFA191001F INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1930-1990 MHz
PTFA191401E INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA191401F INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA192001E INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 1930-1990 MHz
PTFA192001E-200W INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor,
PTFA192001EV4 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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