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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> PTFA181001HL
PTFA181001HL PDF预览

PTFA181001HL

更新时间： 2024-11-23 09:58:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
11页 317K
描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1805 – 1880 MHz

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PTFA181001HL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLATPACK, R-PDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-PDFP-F2
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：GOLD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTFA181001HL 数据手册

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Preliminary PTFA181001GL  
PTFA181001HL  
Confidential, Limited Internal Distribution  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs  
100 W, 1805 – 1880 MHz  
Description  
The PTFA181001GL and PTFA181001GL are 100-watt LDMOS FETs  
designed for EDGE and WCDMA power amplifier applications in the  
1805 to 1880 MHz band. Features include input and output matching,  
and thermally-enhanced open-cavity packages with copper flanges.  
Manufactured with Infineon's advanced LDMOS process, these  
devices provide excellent thermal performance and superior  
reliability.  
PTFA181001GL*  
Package PG-63248-2  
PTFA181001HL*  
Package PG-64248-2  
Features  
Two-carrier WCDMA Drive-up  
VDD = 28 V, IDQ = 750 mA, ƒ = 1880 MHz, 3GPP WCDMA  
signal, PAR = 8 dB, 10 MHz carrier spacing  
•
Thermally-enhanced, plastic open-cavity  
(EPOC™) packages with copper flanges, Pb-free  
and RoHS compliant  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
•
•
Broadband internal matching  
Typical EDGE performance at 1879.8 MHz, 28 V  
- Average output power = 45 W  
- Linear Gain = 16.5 dB  
- Efficiency = 36%  
- EVM RMS = 1.8%  
Efficiency  
IM3  
•
•
Typical CW performance, 1880 MHz, 28 V  
- Output power at P–1dB = 120 W  
- Gain 15.5 dB  
ACPR  
- Efficiency = 52%  
Integrated ESD protection: Human Body Model,  
Class 2 (minimum)  
34  
36  
38  
40  
42  
44  
46  
•
•
Excellent thermal stability  
Average Output Power (dBm)  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,  
100 W (CW) output power  
RF Characteristics  
EDGE Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)  
= 28 V, I = 750 mA, P = 45 W (AVG), ƒ = 1879.8 MHz  
V
DD  
DQ  
OUT  
Characteristic  
Error Vector Magnitude  
Symbol  
RMS EVM  
ACPR  
Min  
—
Typ  
1.8  
Max  
—
Unit  
%
Modulation Spectrum @ 400 KHz  
Modulation Spectrum @ 600 KHz  
Gain  
—
–61  
–73  
16.5  
36  
—
dBc  
dBc  
dB  
ACPR  
—
—
G
ps  
—
—
Drain Efficiency  
hD  
—
—
%
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Preliminary Data Sheet 1 of 11  
Rev. 01, 2008-06-15  
1234567...11

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与PTFA181001HL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA181001HLV1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
PTFA182001E INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 1805 - 1880 MHz
PTFA190451E INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 1930 - 1990 MHz
PTFA190451E-45W INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor
PTFA190451EV4 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
PTFA190451EV4XWSA1 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA190451F INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor
PTFA190451FV4 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
PTFA191001E INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1930-1990 MHz

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