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PTFA192401EV4

更新时间： 2024-11-23 19:52:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 418K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, H-30260-2, 2 PIN

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PTFA192401EV4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：761 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PTFA192401EV4 数据手册

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PTFA192401E  
PTFA192401F  
Confidential, Limited Internal Distribution  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs  
240 W, 1930 – 1990 MHz  
Description  
The PTFA192401E and PTFA192401F are 240-watt LDMOS FETs  
intended for single- and two-carrier WCDMA and CDMA applications  
from 1930 to 1990 MHz. Features include input and output matching,  
and thermally-enhanced packages with slotted or earless flanges.  
Manufactured with Infineon's advanced LDMOS process, these  
devices provide excellent thermal performance and superior  
reliability.  
PTFA192401E  
Package H-36260-2  
PTFA192401F  
Package H-37260-2  
Features  
Single-carrier WCDMA Drive-up  
VDD = 30 V, IDQ = 1600 mA, ƒ = 1960 MHz,  
3GPP WCDMA signal, TM1 w/16 DPCH, 67% clipping,  
PAR = 8.5 dB, 3.84 MHz BW  
•
Pb-free, RoHS-compliant and thermally-enhanced  
packages  
•
•
Broadband internal matching  
-25  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
-60  
-65  
-70  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Efficiency  
Typical two-carrier WCDMA performance at  
1960 MHz, 30 V  
- Average output power = 47.0 dBm  
- Linear Gain = 16 dB  
- Efficiency = 27.5%  
- Intermodulation distortion = –35 dBc  
- Adjacent channel power = –41 dBc  
ACPR Low  
•
Typical single-carrier WCDMA performance at  
1960 MHz, 30 V, 3GPP signal, PAR = 8.5 dB  
- Average output power = 49 dBm  
- Linear Gain = 16 dB  
ACPR Up  
0
- Efficiency = 33%  
- Adjacent channel power = –33 dBc  
34  
36  
38  
40  
42  
44  
46  
48  
50  
Average Output Power (dBm)  
•
•
Typical CW performance, 1960 MHz, 30 V  
- Output power at P–1dB = 240 W  
- Efficiency = 54%  
Integrated ESD protection: Human Body Model,  
Class 2 (minimum)  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
Capable of handling 5:1 VSWR @ 30 V, 240 W  
(CW) output power  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 11  
Rev. 02, 2009-04-01  
1234567...11

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与PTFA192401EV4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA192401EV4XWSA1 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA192401F INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 2
PTFA192401F-240W INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor
PTFA192401FV4 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA210301E INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 30 W, 2110-2170 MHz
PTFA210301F INFINEON

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 		暂无描述
PTFA210451E INFINEON

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